SAMSUNG SSD 870 QVO 2TB

Samsung
219,90 
Sisältää alv. 24.00 %
Tulossa
Tuotekoodi: MZ-77Q2T0BW
EAN-koodi: 8806090396007
Yleistä
Laitteen tyyppi: Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko: 2 Tt
Laitteistosalaus: Kyllä
Salausalgoritmi: AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi: Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto: 2.5″
Liitäntä: SATA 6Gb/s
Puskurin koko: 2 Gt
Ominaisuudet: TRIM-tuki, Garbage Collection -teknologia, unitila, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667
Leveys: 69.85 mm
Syvyys: 100 mm
Korkeus: 6.8 mm
Paino: 57 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky: 720 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus: 560 MBps (luku) / 530 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read: 11000 IOPS
4KB Random Write: 35000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 88000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto: 98000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF): 1,500,000 tuntia
 Laajennus & Liitäntä
Liitännät: 1 x SATA 6 Gb/s – 7 pin Serial ATA
Yhteensopiva paikka: 2.5″
Virransyöttö
Virrankulutus: 3.3 watt (keskimäärä)
5.5 watt (maksimi)
0.045 watt (joutokäynnillä)
Valmistajan takuu
Huolto ja tuki: Rajoitettu takuu – 3 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila: 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila: 70 °C
Iskunkestävyys (käytettäessä): 0,5 ms puolisini
Iskunkestävyys (suljettuna): 1500 g @ 0,5 ms

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “SAMSUNG SSD 870 QVO 2TB”

Sähköpostiosoitettasi ei julkaista. Pakolliset kentät on merkitty *