SAMSUNG MZ-76Q2T0BW SSD 2TB QVO

Samsung
239,00 
Sisältää alv. 24.00 %
Tulossa
Tuotekoodi: MZ-76Q2T0BW
EAN-koodi: 8801643443740
Yleistä
Laitteen tyyppi: Puolijohdeasema – sisäinen (pöytämalli)
Muistin koko: 2 Tt
Laitteistosalaus: Kyllä
NAND flash-muistityyppi: Multi-level cell (MLC)
Koko tai muoto: 2.5″
Liitäntä: SATA 6Gb/s
Puskurin koko: 4 GB
Ominaisuudet: TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Samsung MJX Controller
Leveys: 100 mm
Syvyys: 69.85 mm
Korkeus: 6.8 mm
Paino: 51 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky: 720 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus: 550 MBps (luku) / 520 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read: 7500 IOPS
4KB Random Write: 42000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 89000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto: 99000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF): 1,500,000 tuntia
 Laajennus & Liitäntä
Liitännät: 1 x SATA 6 Gb/s
Yhteensopiva paikka: 2.5″
Valmistajan takuu
Huolto ja tuki: Rajoitettu takuu – 3 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila: 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila: 70 °C
Iskunkestävyys (käytettäessä): 1500 g @ 0,5 ms puolisini

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “SAMSUNG MZ-76Q2T0BW SSD 2TB QVO”

Sähköpostiosoitettasi ei julkaista. Pakolliset kentät on merkitty *