SAMSUNG 970 EVO PLUS 2TB NVMe M.2

Samsung
519,00 
Sisältää alv. 24.00 %
Tukkurilla 6 kpl
Toimitus 3-5 työpäivää
Tuotekoodi: MZ-V7S2T0BW
Yleistä
Laitteen tyyppi: Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko: 2 Tt
Laitteistosalaus: Kyllä
Salausalgoritmi: AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi: Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto: M.2
Liitäntä: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Puskurin koko: 2 GB
Ominaisuudet: RAPID-tilan tuki, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky: 1200 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus: 3500 MBps (luku) / 3300 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read: 19000 IOPS
4KB Random Write: 60000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 560000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto: 620000 IOPS
Laajennus & Liitäntä
Liitännät: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) – M.2 Card
Yhteensopiva paikka: M.2
Muuta
Yhteensopivuusstandardit: IEEE 1667
Valmistajan takuu
Huolto ja tuki: Rajoitettu takuu – 5 vuotta

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Vain kirjautuneet asiakkaat -jotka ovat ostaneet tuotteen- voivat kirjoittaa tuotearvion.