SAMSUNG 970 EVO PLUS 250GB NVMe M.2

Samsung
74,90 
Sisältää alv. 24.00 %
Tukkurilla 78 kpl
Toimitus 3-5 työpäivää
Tuotekoodi: MZ-V7S250BW
EAN-koodi: 8801643628079
Yleistä
Laitteen tyyppi: Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko: 250 GB
Laitteistosalaus: Kyllä
Salausalgoritmi: AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi: Triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto: M.2 2280
Liitäntä: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Puskurin koko: 512 MB
Ominaisuudet: TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Leveys: 22.15 mm
Syvyys: 80.15 mm
Korkeus: 2.38 mm
Paino: 8 g
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky: 150 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus: 3500 MBps (luku) / 2300 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read: 17000 IOPS
4KB Random Write: 60000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 550000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto: 250000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF): 1,500,000 tuntia
 Laajennus & Liitäntä
Liitännät: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) – M.2 Card
Yhteensopiva paikka: M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus: 5 watt (keskimäärä)
8 watt (maksimi)
30 mW (tyhjäkäynti enint.)
Muuta
Yhteensopivuusstandardit: IEEE 1667
 Valmistajan takuu
Huolto ja tuki: Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila: 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila: 70 °C
Iskunkestävyys (käytettäessä): 1500 g @ 0,5 ms puolisini

Valmistajan sivut

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “SAMSUNG 970 EVO PLUS 250GB NVMe M.2”

Sähköpostiosoitettasi ei julkaista. Pakolliset kentät on merkitty *